HCJDCS-B型 高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品簡介
 

HCJDCS-B介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀是根據(jù)GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC 60250）設(shè)計(jì)和制造的，并符合JB 7770等試驗(yàn)方法。

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。儀器遵從標(biāo)準(zhǔn)：GB/T5594.4-1985。
產(chǎn)品特點(diǎn)

它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測試。

介電常數(shù)又稱電容率或相對電容率，是表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個(gè)重要數(shù)據(jù)，常用ε表示。介質(zhì)在外加電場時(shí)會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場，原外加電場(真空中)與終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)。其表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力，例如一個(gè)電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后可使其電容變大ε倍。介電常數(shù)愈小絕緣性愈好。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，場的強(qiáng)度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)還用來表示介質(zhì)的極化程度，宏觀的介電常數(shù)的大小，反應(yīng)了微觀的極化現(xiàn)象的強(qiáng)弱。氣體電介質(zhì)的極化現(xiàn)象比較弱，各種氣體的相對介電常數(shù)都接近1，液體、固體的介電常數(shù)則各不相同，而且介電常數(shù)還與溫度、電源頻率有關(guān)。

物質(zhì)介電常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式，其實(shí)部即為介電常數(shù)，虛數(shù)部分常稱為耗散因數(shù)。

通常將耗散因數(shù)與介電常數(shù)之比稱作耗散角正切，其可表示材料與微波的耦合能力，耗散角正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強(qiáng)。例如當(dāng)電磁波穿過電解質(zhì)時(shí)，波的速度被減小，波長也變短了。
適用范圍
 該儀器用于科研單學(xué)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
參數(shù)規(guī)格

1 Q值測量范圍：5～999

   Q值量程分檔：30、100、300、999、自動換檔或手動換擋

   誤差：25kHz～10MHz   ≤5%±滿度值的2%

            10MHz～50MHz ≤7%±滿度值的2%

2 電感測量范圍：0.1μH～1H 分七個(gè)量程

3 電容測量范圍：1PF～460PF

   主電容調(diào)節(jié)范圍：40PF～500 PF

   度：150PF以下±1.5PF

           150PF以上±1%

   微調(diào)電容調(diào)節(jié)范圍：-3PF～0PF～+3PF

   度：±0.2PF

4 頻率覆蓋范圍：25 kHz～50MHz 分七段

   指示誤差：2×10-4±2個(gè)字

5 電源：220V±22V   50Hz±2.5Hz   25W

6 環(huán)境溫度：(0～+40)℃

7 相對濕度：RH<80%

8 外形尺寸：380mm×132mm×280mm

9 重量：約7kg

10.電感9只；

11.夾具一套

工作原理

1．本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電，使用前要檢查市電電壓是否合適，采用穩(wěn)壓電源，以保證測試條件的穩(wěn)定。

2．開機(jī)預(yù)熱15分鐘，使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開始測試。

3．按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的陶瓷試樣，兩面用燒滲法被上銀層，并分別焊上一根Φ0.8mm，30~40mm長的金屬引線。引線材料為銅，表面鍍銀并浸錫。

4．選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率，調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C₁，品質(zhì)因素為Q₁。

5．“△Q零點(diǎn)調(diào)節(jié)”旋鈕使Q表指向表頭中間零點(diǎn)。

6．“Q量程”開關(guān)扳回500檔。

7．將被測樣品接在“C_X”接線柱上。

8．再調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振，這時(shí)電容為C₂，“Q量程”扳向△Q位置，可以直接讀出△Q，并且Q₂= Q₁－△Q，將Q表量程扳回500檔。

9．用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d（分別在不同位置測得兩個(gè)數(shù)據(jù)，再取其平均值）。

四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果

1．tanδ和ε測定記錄

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表1要求填寫。

表1             tanδ和ε測定記錄表

2．計(jì)算

1）介電常數(shù)ε

ε=

式中：C---試樣的電容量（PF）, C= C₁－C₂；

d---試樣厚度（cm）；

Φ—試樣直徑（cm）。

2）介質(zhì)損耗角正切tanδ

                 tanδ=        *        =       *

3） Q值

                  Q =     =       *

注意事項(xiàng)

1．圓片形試樣的尺寸（Φ=38mm+1mm，d=2mm+0.5mm）要符合公差要求，兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術(shù)條件。

2．電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達(dá)到良好的平衡，所以測定時(shí)，電壓和頻率要求穩(wěn)定，電壓變動不得大于1%，頻率變動不得大于0.5%。

3．電極與試樣的接觸情況，對tanδ的測試結(jié)果有很大影響，因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。

4．試樣吸濕后，測得的tanδ值增大，影響測量精度，應(yīng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。

5．在測量過程中，注意隨時(shí)檢查電橋本體屏蔽的情況，當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡，“本體-屏蔽”開關(guān)置于任何一邊時(shí)，檢查計(jì)光帶均應(yīng)小，而無大變化。

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